Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor

2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage - 1 nA
Drain-Source Current at Vgs=0 3 mA
Id - Continuous Drain Current 10 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Rds On - Drain-Source Resistance 200 Ohms
Maximum Operating Temperature + 150 C
Unit Weight 8 mg
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Forward Transconductance - Min 3 ms
Mounting Style SMD/SMT
Package/Case SC-59-3
Packaging Reel
Product Category JFET
Product Type JFETs
RoHS Details
Series 2SK3666
Subcategory Transistors
Technology Si
Type JFET

 

Транзистор 2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor

 

  В каталоге Components.by представлен электронный компонент  2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом  2SK3666-3-TB-E , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

 

PDF

Запросить цену на 2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
Вернуться назад