2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
Manufacturer |
Toshiba |
Transistor Polarity |
N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
10 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage |
- 50 V |
Gate-Source Cut-off Voltage |
- 0.2 V |
Drain-Source Current at Vgs=0 |
1.2 mA |
Id - Continuous Drain Current |
0.5 mA |
Maximum Drain Gate Voltage |
- 50 V |
Pd - Power Dissipation |
100 mW |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
Maximum Operating Temperature |
+ 125 C |
Unit Weight |
28 mg |
Brand |
Toshiba |
Factory Pack Quantity |
3000 |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Package/Case |
SC-70 |
Packaging |
Reel |
Product Category |
JFET |
Product Type |
JFETs |
RoHS |
Details |
Series |
2SK880 |
Subcategory |
Transistors |
Technology |
Si |
Type |
JFET |
Транзистор 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2SK880-BL(TE85L,F) , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
PDF
Запросить цену на 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba
Вернуться назад
|