Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor

GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
Id - Continuous Drain Current 45 A
Pd - Power Dissipation 282 W
Rds On - Drain-Source Resistance 50 mO
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Unit Weight 1,450 g
Brand GeneSiC Semiconductor
Factory Pack Quantity 50
Mounting Style SMD/SMT
Package/Case TO-263-7
Packaging Reel
Product Category JFET
Product Type JFETs
RoHS Details
Series SiC Junction Transistor
Subcategory Transistors
Technology SiC

 

Транзистор GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor

 

  В каталоге Components.by представлен электронный компонент  GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом  GA20JT12-263 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

 

PDF

Запросить цену на GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
Вернуться назад