GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Id - Continuous Drain Current
45 A
Pd - Power Dissipation
282 W
Rds On - Drain-Source Resistance
50 mO
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
1,450 g
Brand
GeneSiC Semiconductor
Factory Pack Quantity
50
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
TO-263-7
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
SiC Junction Transistor
Subcategory
Transistors
Technology
SiC
Описание
Транзистор GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом GA20JT12-263 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Id - Continuous Drain Current
45 A
Pd - Power Dissipation
282 W
Rds On - Drain-Source Resistance
50 mO
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
1,450 g
Brand
GeneSiC Semiconductor
Factory Pack Quantity
50
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
TO-263-7
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
SiC Junction Transistor
Subcategory
Transistors
Technology
SiC
Описание
Транзистор GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом GA20JT12-263 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet