IFN112 InterFET
IFN112 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 50 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 1.2 V
Drain-Source Current at Vgs=0
9 mA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
7 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN112 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN112 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN112 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 50 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 1.2 V
Drain-Source Current at Vgs=0
9 mA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
7 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN112 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN112 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN112 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet