IFN412 InterFET
IFN412 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 3.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
5 mA
Pd - Power Dissipation
375 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN411
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор IFN412 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN412 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN412 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 3.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
5 mA
Pd - Power Dissipation
375 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN411
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор IFN412 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN412 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN412 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet