История:
P1100SCMCLRP
IFN5199 InterFET
IFN5199 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 50 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0
7 mA
Id - Continuous Drain Current
- 200 uA
Pd - Power Dissipation
250 mW
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN519
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN5199 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN5199 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN5199 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 50 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0
7 mA
Id - Continuous Drain Current
- 200 uA
Pd - Power Dissipation
250 mW
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN519
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN5199 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN5199 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN5199 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet

