История:
P1100SCMCLRP
IFN5564 InterFET
IFN5564 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0
30 mA
Pd - Power Dissipation
650 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
100 Ohms
Unit Weight
5,030 g
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
7000 uhmo
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN5564 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN5564 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN5564 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0
30 mA
Pd - Power Dissipation
650 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
100 Ohms
Unit Weight
5,030 g
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
7000 uhmo
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN5564 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN5564 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN5564 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet