История:
P1100SCMCLRP
IFN5912 InterFET
IFN5912 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
40 mA
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
3000 uS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-78-8
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN591
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN5912 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN5912 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN5912 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
40 mA
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
3000 uS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-78-8
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN591
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN5912 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN5912 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN5912 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet

