IFN860 InterFET
IFN860 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 20 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0
10 mA
Id - Continuous Drain Current
100 uA
Pd - Power Dissipation
400 mW
Unit Weight
4,885 g
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
25 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN860
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN860 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN860 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN860 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 20 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0
10 mA
Id - Continuous Drain Current
100 uA
Pd - Power Dissipation
400 mW
Unit Weight
4,885 g
Brand
InterFET
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
25 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-71-6
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFN860
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFN860 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFN860 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFN860 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet