История:
RN1905,LF(CT
IFND89 InterFET
IFND89 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
3.3 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 900 mV
Drain-Source Current at Vgs=0
1 mA
Id - Continuous Drain Current
1 uA
Pd - Power Dissipation
250 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
3 kOhms
Unit Weight
20 mg
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
600 uS
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SC-70-5
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFND89
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFND89 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFND89 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFND89 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
3.3 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 900 mV
Drain-Source Current at Vgs=0
1 mA
Id - Continuous Drain Current
1 uA
Pd - Power Dissipation
250 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
3 kOhms
Unit Weight
20 mg
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
600 uS
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SC-70-5
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
IFND89
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор IFND89 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IFND89 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IFND89 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet

