J112-D27Z ON Semiconductor / Fairchild
J112-D27Z ON Semiconductor / Fairchild
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 35 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
5 mA
Pd - Power Dissipation
625 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
50 Ohms
Unit Weight
201 mg
Brand
ON Semiconductor / Fairchild
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3 Kinked Lead
Packaging
Reel
Part # Aliases
J112_D27Z
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
J112
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J112-D27Z ON Semiconductor / Fairchild
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J112-D27Z ON Semiconductor / Fairchild . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J112-D27Z , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 35 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
5 mA
Pd - Power Dissipation
625 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
50 Ohms
Unit Weight
201 mg
Brand
ON Semiconductor / Fairchild
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3 Kinked Lead
Packaging
Reel
Part # Aliases
J112_D27Z
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
J112
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J112-D27Z ON Semiconductor / Fairchild
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J112-D27Z ON Semiconductor / Fairchild . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J112-D27Z , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet