J112 InterFET
J112 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 35 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
5 mA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
50 Ohms
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J112 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J112 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J112 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 35 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
5 mA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
50 Ohms
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J112 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J112 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J112 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet