J211 InterFET
J211 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 4.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
20 mA
Id - Continuous Drain Current
1 nA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Unit Weight
453,600 mg
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
6000 uS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
J211
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J211 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J211 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J211 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 4.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
20 mA
Id - Continuous Drain Current
1 nA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Unit Weight
453,600 mg
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
6000 uS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
J211
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J211 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J211 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J211 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet