J271 InterFET
J271 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
4.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 50 mA
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Unit Weight
453,600 mg
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
8 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
J271
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J271 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J271 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J271 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
4.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 50 mA
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Pd - Power Dissipation
360 mW
Unit Weight
453,600 mg
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
8 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
J271
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор J271 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент J271 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом J271 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet