PMBFJ308,215 NXP Semiconductors
PMBFJ308,215 NXP Semiconductors
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
Manufacturer |
NXP |
Transistor Polarity |
N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
25 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage |
- 25 V |
Gate-Source Cut-off Voltage |
- 6.5 V |
Drain-Source Current at Vgs=0 |
60 mA |
Id - Continuous Drain Current |
10 mA |
Maximum Drain Gate Voltage |
- 25 V |
Pd - Power Dissipation |
250 mW |
Rds On - Drain-Source Resistance |
50 Ohms |
Minimum Operating Temperature |
- 65 C |
Maximum Operating Temperature |
+ 150 C |
Height |
1 mm |
Length |
3 mm |
Width |
1.4 mm |
Unit Weight |
8 mg |
Brand |
NXP Semiconductors |
Configuration |
Single |
Factory Pack Quantity |
3000 |
Forward Transconductance - Min |
10 mS |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Package/Case |
SOT-23-3 |
Packaging |
Reel |
Part # Aliases |
934008980215 |
Product Category |
JFET |
Product Type |
JFETs |
RoHS |
Details |
Series |
PMBFJ308 |
Subcategory |
Transistors |
Technology |
Si |
Type |
JFET |
Транзистор PMBFJ308,215 NXP Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент PMBFJ308,215 NXP Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом PMBFJ308,215 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
PDF
Запросить цену на PMBFJ308,215 NXP Semiconductors
Вернуться назад
|