Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
PMBFJ309,215 NXP Semiconductors

PMBFJ309,215 NXP Semiconductors

PMBFJ309,215 NXP Semiconductors
PMBFJ309,215 NXP Semiconductors
Производитель: NXP Semiconductors
Описание: PMBFJ309,215 NXP Semiconductors
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer NXP
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage - 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0 10 mA
Id - Continuous Drain Current 30 mA
Maximum Drain Gate Voltage - 25 V
Pd - Power Dissipation 250 mW
Rds On - Drain-Source Resistance 50 Ohms
Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Height 1 mm
Length 3 mm
Width 1.4 mm
Unit Weight 8 mg
Brand NXP Semiconductors
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Forward Transconductance - Min 10 mS
Mounting Style SMD/SMT
Package/Case SOT-23-3
Packaging Reel
Part # Aliases 934008990215
Product Category JFET
Product Type JFETs
RoHS Details
Series PMBFJ309
Subcategory Transistors
Technology Si
Type JFET
Описание
Транзистор PMBFJ309,215 NXP Semiconductors В каталоге Components.by представлен электронный компонент PMBFJ309,215 NXP Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом PMBFJ309,215 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer NXP
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage - 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0 10 mA
Id - Continuous Drain Current 30 mA
Maximum Drain Gate Voltage - 25 V
Pd - Power Dissipation 250 mW
Rds On - Drain-Source Resistance 50 Ohms
Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Height 1 mm
Length 3 mm
Width 1.4 mm
Unit Weight 8 mg
Brand NXP Semiconductors
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Forward Transconductance - Min 10 mS
Mounting Style SMD/SMT
Package/Case SOT-23-3
Packaging Reel
Part # Aliases 934008990215
Product Category JFET
Product Type JFETs
RoHS Details
Series PMBFJ309
Subcategory Transistors
Technology Si
Type JFET
Описание
Транзистор PMBFJ309,215 NXP Semiconductors В каталоге Components.by представлен электронный компонент PMBFJ309,215 NXP Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом PMBFJ309,215 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet