SMMBFJ309LT1G ON Semiconductor
SMMBFJ309LT1G ON Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 6.5 V
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
40 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Series
MMBFJ309L
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор SMMBFJ309LT1G ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент SMMBFJ309LT1G ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом SMMBFJ309LT1G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 6.5 V
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
40 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Series
MMBFJ309L
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор SMMBFJ309LT1G ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент SMMBFJ309LT1G ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом SMMBFJ309LT1G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet