UJ3N065080K3S UnitedSiC
UJ3N065080K3S UnitedSiC
Характеристики
Manufacturer
UnitedSiC
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
32 A
Pd - Power Dissipation
190 W
Rds On - Drain-Source Resistance
80 mOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
15,489 g
Brand
UnitedSiC
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
30
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
UJ3N
Subcategory
Transistors
Technology
SiC
Описание
Транзистор UJ3N065080K3S UnitedSiC
В каталоге Components.by представлен электронный компонент UJ3N065080K3S UnitedSiC . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом UJ3N065080K3S , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
UnitedSiC
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
32 A
Pd - Power Dissipation
190 W
Rds On - Drain-Source Resistance
80 mOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
15,489 g
Brand
UnitedSiC
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
30
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
UJ3N
Subcategory
Transistors
Technology
SiC
Описание
Транзистор UJ3N065080K3S UnitedSiC
В каталоге Components.by представлен электронный компонент UJ3N065080K3S UnitedSiC . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом UJ3N065080K3S , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet