UJ3N120070K3S UnitedSiC
UJ3N120070K3S UnitedSiC
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
UnitedSiC
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
33.5 A
Pd - Power Dissipation
254 W
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
11 g
Brand
UnitedSiC
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
30
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
UJ3N
Subcategory
Transistors
Technology
SiC
Описание
Транзистор UJ3N120070K3S UnitedSiC
В каталоге Components.by представлен электронный компонент UJ3N120070K3S UnitedSiC . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом UJ3N120070K3S , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Manufacturer
UnitedSiC
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
33.5 A
Pd - Power Dissipation
254 W
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
11 g
Brand
UnitedSiC
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
30
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
UJ3N
Subcategory
Transistors
Technology
SiC
Описание
Транзистор UJ3N120070K3S UnitedSiC
В каталоге Components.by представлен электронный компонент UJ3N120070K3S UnitedSiC . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом UJ3N120070K3S , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.