История:
2N5060 TIN/LEAD
VCR2N InterFET
VCR2N InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
3.5 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
60 Ohms
Unit Weight
3,257 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
VCR2N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор VCR2N InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VCR2N InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VCR2N , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
3.5 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
60 Ohms
Unit Weight
3,257 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
VCR2N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор VCR2N InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VCR2N InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VCR2N , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet