История:
2N5060 TIN/LEAD
VCR4N InterFET
VCR4N InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
7 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
600 Ohms
Unit Weight
1,884 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
VCR4N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор VCR4N InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VCR4N InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VCR4N , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
7 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
600 Ohms
Unit Weight
1,884 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
VCR4N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор VCR4N InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VCR4N InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VCR4N , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet