Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
40 ns
Id - Continuous Drain Current
90 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
560 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
33 mOhms
Rise Time
55 ns
RoHS
Details
Series
IXFN90N30
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
Typical Turn-On Delay Time
42 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
300 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Описание
Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN90N30 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN90N30 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.