Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS
Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS
Артикул:
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 40 ns
Id - Continuous Drain Current 90 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 560 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms
Rise Time 55 ns
RoHS Details
Series IXFN90N30
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Type HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 100 ns
Typical Turn-On Delay Time 42 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Описание

Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN90N30 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN90N30 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 40 ns
Id - Continuous Drain Current 90 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 560 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms
Rise Time 55 ns
RoHS Details
Series IXFN90N30
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Type HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 100 ns
Typical Turn-On Delay Time 42 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Описание

Дискретный модуль IXFN90N30 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN90N30 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN90N30 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.