Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT F3L11MR12W2M1B65BOMA1

F3L11MR12W2M1B65BOMA1

F3L11MR12W2M1B65BOMA1
F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Артикул:
Описание: F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L11MR12W2M1B65BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L11MR12W2M1B65BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet