F475R07W1H3B11ABOMA1
F475R07W1H3B11ABOMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F475R07W1H3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F475R07W1H3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

