История:
TX20/10/7-4C65
MC-TX5.08V22P-0001
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
F475R07W1H3B11ABOMA1
F475R07W1H3B11ABOMA1
F475R07W1H3B11ABOMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F475R07W1H3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F475R07W1H3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

