FAM65HR51DS2
FAM65HR51DS2
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Quad
Power Dissipation
135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65HR51DS2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Quad
Power Dissipation
135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65HR51DS2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

