История:
MC-RN5.08V04P-R-0001
049552
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FB10R06KL4G
FB10R06KL4G
FB10R06KL4G
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
15 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
15 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

