История:
RHEF050-AP
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FD400R12KE3
FD400R12KE3
FD400R12KE3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
580 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
580 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

