FD450R12KE4PHOSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD450R12KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FD450R12KE4PHOSA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by