История:
RHEF050-AP
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FF150R12YT3
FF150R12YT3
FF150R12YT3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

