История:
FD400R12KE3
RM6R-3D3
RM6R-3H3
DD500S65K3
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FF400R12KE3_B2
FF400R12KE3_B2
FF400R12KE3_B2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
580 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
580 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

