Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT FF600R17KE3_B2

FF600R17KE3_B2

FF600R17KE3_B2
FF600R17KE3_B2
Артикул:
Описание: FF600R17KE3_B2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Configuration Dual Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current 950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Configuration Dual Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current 950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet