История:
FD150R12RT4
RHEF050-AP
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FF800R17KE3
FF800R17KE3
FF800R17KE3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
1150 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
1150 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

