История:
FF200R06KE3
RM12/ILP-3F4
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP100R07N3E4_B11
FP100R07N3E4_B11
FP100R07N3E4_B11
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R07N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R07N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

