Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT FP15R12KS4C

FP15R12KS4C

FP15R12KS4C
FP15R12KS4C
Артикул:
Описание: FP15R12KS4C
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 15 A
Power Dissipation 180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 15 A
Power Dissipation 180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet