История:
MDD1080-18N7
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP15R12W1T7B11BOMA1
FP15R12W1T7B11BOMA1
FP15R12W1T7B11BOMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

