История:
M5KP18A
MF-RX025/72-AP-17
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP40R12KT3G
FP40R12KT3G
FP40R12KT3G
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
55 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
55 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

