История:
RGCL60TS60GC11
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP50R06KE3
FP50R06KE3
FP50R06KE3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
60 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
60 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

