Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules MIXA81WB1200TEH

MIXA81WB1200TEH

MIXA81WB1200TEH
MIXA81WB1200TEH
Артикул:
Описание: MIXA81WB1200TEH
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 90 A; 120 A
Power Dissipation 290 W; 390 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA81WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 90 A; 120 A
Power Dissipation 290 W; 390 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA81WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet