Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1
MMIX1G120N120A3V1
Артикул:
Описание: MMIX1G120N120A3V1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 220 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX1G120N120A3V1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 220 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX1G120N120A3V1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet