История:
PBHV8540T,215
PBHV9040T,215
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Цифровые биполярные транзисторы (Pre-Biased BJT)
NSVMUN5111DW1T3G
NSVMUN5111DW1T3G
NSVMUN5111DW1T3G
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
35
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
385 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
NSVMUN5111DW1T3G
Биполярный транзистор - NSVMUN5111DW1T3G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVMUN5111DW1T3G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
35
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
385 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
NSVMUN5111DW1T3G
Биполярный транзистор - NSVMUN5111DW1T3G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVMUN5111DW1T3G ON Semiconductor.