История:
BTA08-800CW3G
DCW12W8-15
AC0603FR-072K37L
HGTG30N60A4
AC0603FR-07113RL
ZXTN25100BFHTA
AUIRGSL4062D1
Q6040J7TP
FZ1200R33HE3
5M1270ZF324C5N
SKB02N120
T1635H-8I
BTA06-600TRG
APTGLQ400A120T6G
AC0603FR-0727RL
BTB06-800TWRG
AC0603DR-071KL
MLH0805-2N2-03
FGH40T70SHD-F155
RGW60TS65GC11
5M160ZM100C4N
FZ750R65KE3
MID300-12A4
FGA30N120FTDTU
AC0201FR-07300KL
BTA16-600CWRG
APTGT50TA60PG
IKD06N60RFATMA1
IHW50N65R5
2SA1593T-E
Q4025K6
L401E6RP
L401E8RP
ZXTP19020DGTA
ZXTP19060CGTA
L4008L6
L4004D3RP
NXH100B120H3Q0STG
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.77 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
800 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
186 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH100B120H3Q0STG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль NXH100B120H3Q0STG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

