Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT NXH100B120H3Q0STG

NXH100B120H3Q0STG

NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG
Артикул:
Описание: NXH100B120H3Q0STG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.77 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 800 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 186 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH100B120H3Q0STG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.77 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 800 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 186 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH100B120H3Q0STG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet