Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FF200R12KT4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2000394300![]() |
Infineon FF200R12KT4HOSA1, 62 mm Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 243.59 BYN | ||
#2017141424![]() |
Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1, FF200R12KT4HOSA1,IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус IGBT транзисторы | 0.00 шт. | под заказ | 305.45 BYN |

Питание
Релейная защита и автоматика
