Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
1N5660A/TR Microchip / Microsemi
1N5660A/TR Microchip / Microsemi
1N5660A/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
124 V
Clamping Voltage
179 V
Current Rating
5 uA
Ipp - Peak Pulse Current
8.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-202AA-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
111 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N5660A/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N5660A/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N5660A/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
124 V
Clamping Voltage
179 V
Current Rating
5 uA
Ipp - Peak Pulse Current
8.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-202AA-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
111 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N5660A/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N5660A/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N5660A/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet