Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
1N6372/TR Microchip / Microsemi
1N6372/TR Microchip / Microsemi
1N6372/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
52.9 V
Clamping Voltage
70 V
Current Rating
2 uA
Ipp - Peak Pulse Current
19 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-13-2
Pd - Power Dissipation
1 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
45 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N6372/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N6372/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N6372/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
52.9 V
Clamping Voltage
70 V
Current Rating
2 uA
Ipp - Peak Pulse Current
19 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-13-2
Pd - Power Dissipation
1 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
45 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N6372/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N6372/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N6372/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet