Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
1N8158US Microchip / Microsemi
1N8158US Microchip / Microsemi
1N8158US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
19 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
27.7 V
Ipp - Peak Pulse Current
5.42 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
SQ-MELF-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
17 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N8158US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N8158US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N8158US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
19 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
27.7 V
Ipp - Peak Pulse Current
5.42 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
SQ-MELF-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
17 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N8158US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N8158US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N8158US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet