Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
1N8165/TR Microchip / Microsemi
1N8165/TR Microchip / Microsemi
1N8165/TR Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
1N8165/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
37.1 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
53.6 V
Current Rating
500 nA
Ipp - Peak Pulse Current
2.8 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2
Pd - Power Dissipation
1 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
33 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N8165/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N8165/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N8165/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
37.1 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
53.6 V
Current Rating
500 nA
Ipp - Peak Pulse Current
2.8 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2
Pd - Power Dissipation
1 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
33 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N8165/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N8165/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N8165/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.