История:
DDTC114ELP-7
156921383
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
1N8170/TR Microchip / Microsemi
1N8170/TR Microchip / Microsemi
1N8170/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
58.9 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
85.3 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2
Pd - Power Dissipation
1 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
53 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N8170/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N8170/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N8170/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
58.9 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
85.3 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2
Pd - Power Dissipation
1 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
53 V
Описание
Подавитель ЭСР 1N8170/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 1N8170/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 1N8170/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet

