История:
dsPIC30F3013T-30I/ML
GTCA38-351M-R10
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JAN1N5558 Microchip / Microsemi
JAN1N5558 Microchip / Microsemi
JAN1N5558 Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JAN1N5558 Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
191 V
Cd - Diode Capacitance
-
Clamping Voltage
265 V
Ipp - Peak Pulse Current
5.7 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-13-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
175 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N5558 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N5558 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N5558 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
191 V
Cd - Diode Capacitance
-
Clamping Voltage
265 V
Ipp - Peak Pulse Current
5.7 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-13-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
175 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N5558 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N5558 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N5558 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.