Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi
JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi
JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi
Артикул:
JAN1N5630A/TR
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Cd - Diode Capacitance
-
Ipp - Peak Pulse Current
132 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
6.4 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N5630A/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Cd - Diode Capacitance
-
Ipp - Peak Pulse Current
132 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Working Voltage
6.4 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N5630A/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N5630A/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet